参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSC060P03NS3E G
说明	功率MOSFET   5.9mm
起订量	0
最小包	0
现货	395 [库存更新时间：2024-05-06]
下降时间	34 nS
栅极电荷 Qg	61 nC
上升时间	139 nS
典型关闭延迟时间	66 nS
零件号别名	BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGXT SP000472984
配置	Single Quad Drain Triple Source
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	100A
Rds On(Max)@Id,Vgs	6mΩ
栅极电压Vgs	25V
Qg-栅极电荷	61nC
Pd-功率耗散(Max)	83W
高度	1.27mm
长度	5.9mm
系列	OptiMOSP3
FET类型	P-Channel
宽度	5.15mm
工作温度	-55°C~150°C